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設(shè)備名稱 反應(yīng)離子刻蝕RIE 品牌型號 oxford
設(shè)備用途
利用F基氣體產(chǎn)生的plasma，對SiO2和Si3N4進行刻蝕加工
主要技術(shù)指標：
可用氣體：Ar、N2、CHF3、NF3、N2O
刻蝕腔體極限真空度： 5×10^-6Torr , 真空漏率 0.5mTorr/min
刻蝕速率： SiO2 ≥30nm/min，SiNx≥30nm/min
刻蝕選擇比：對SiO2＞2.5,對Si3N4＞1.5
側(cè)壁角度：＞80℃
加工尺寸：2inch、3inch、4inch、碎片
